年产20 万片 GaN功率器件晶圆面貌

建造单元：江西万年晶半导体有限公司

建造性质：新建（迁建）

施工工期：12个月

投资总和：250000万元

建造场合：上饶市万年县高新期间产业园区丰充工业园东外环线

面貌主要开导：RCA 清洗、有机清洗机、酸碱清洗机、步进式光刻机等

面貌大要：面貌以蓝相持外延片、金属、盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、去胶液、双氧水、显影液、抛光液、光刻胶等为原辅材料，通过外延片清洗、蚀刻、金属蒸镀、退火、去胶清洗、离子注入、千里积、键合、抛光、去蜡清洗、分选历练等工序年产2英寸GaN功率器件晶圆20万片

晶帆光电LCOS光阀芯片总部及分娩基地面貌

建造单元：重庆市晶帆光电科技有限公司

建造性质：新建

施工工期：6个月

投资总和：150000万元

建造场合：重庆市江津区双福工业园

面貌主要开导：玻璃清洗机、Wafer 清洗机、12 槽自动超声波清洗机、晶圆切割机等

面貌大要：面貌租借位于江津区和洽湖数字经济产业园智能制造厂区内已建的分娩厂房,建造1条LCOS分娩线，配套购置晶圆切割机、灌晶机、蒸镀机、PI印刷机等分娩开导，建成后达到年产LCOS芯片200万片的分娩畛域。

8 吋 MEMS 特色芯片 IDM 产业基地一期面貌（一阶段）

建造单元：奥松半导体（重庆）有限公司

建造性质：新建（迁建）

施工工期：12 个月

投资总和：14亿元

建造场合：重庆高新区西永组团 T 分区T67/05 地块

面貌主要开导：光刻机、涂胶显影机、蚀刻机、离子注入机等

面貌大要：面貌总占地64553.53m2，建筑面积128935.91m2，购置光刻机、涂胶显影机、蚀刻机、离子注入机、磁控溅射机、PECVD、LPCVD、键合开导、清洗机等开导，建造8吋MEMS特色工艺晶圆分娩线，搭建CIM等信息化系统，月产晶圆2万片。面貌总投资约14亿元，其中环保投资约5000万元，占总投资的3.54%。

高端闪存 UFS4.0 封测期间攻关及产业化面貌

建造单元：华天科技（南京）有限公司

建造性质：扩建

施工工期：3 年

投资总和：100000 万元

建造场合：南京市浦口区浦口经济开发区丁香路 16 号

面貌主要开导：减薄机、划片机、打线机、植球机等

面貌大要：拟在现存总建筑面积为 5.3 万普通米的厂房内，购置减薄机、划片机、打线机、植球机等开导 950 台/套，完成舛错期间攻关后新建一条高端闪存 UFS4.0 封测产线，展望年产高端闪存 UFS4.0 集成电路 3400 万颗。

第三代氮化镓功率半导体分娩新建面貌

建造单元：

江门市冠鼎半导体有限公司

建造性质：新建

投资总和：10550万元

建造场合：广东省江门市新会县崖门镇江门通衢南崖门段238号

面貌主要开导：扩晶机、固晶机、分选机、离子清洗机等

面貌大要：属于新建面貌，年加工第三代氮化镓功率半导体 15KK 件。面貌总投资 10550 万元，租借江门市旭晖纺织有限公司已建厂房，厂房面积为 2630 普通米。

苏州共进微电子期间有限公司扩建传感器芯片封装面貌（再行报批）

建造单元：苏州共进微电子期间有限公司

建造性质：扩建

投资总和：50000万元

建造场合：江苏省苏州市太仓陆渡街谈郑和中路89 号4#厂房

面貌大要：本面貌变动情况为：总投资增多至 50000 万元；左证工艺特质和先进性条目，本面貌取消“来料清洗、来料漂洗、SMT 贴片、植球、回流、清洗”工段，分娩开导数目、型号对照原环评发生变动，且由于不同客户订单条目不同，每一批次传感器芯片尺寸不同，原辅料使用量对照原环评呈报量增多，导致大气混浊物排放量增多；此外原环评呈报时建造单元研讨将芯片抽检工段依托一期测试面貌进行，后由于场所已毕以及芯片的清洁分娩条目，建造单元在封装车间新增设一间施行室，用于封装面貌抽样历练。

起首：华林科纳整理